Realization of near-perfect absorption in the whole reststrahlen band of SiC | |
Hua YL(华一磊); Xie CQ(谢常青); Liu M(刘明) | |
刊名 | Nanoscale |
2018-04-28 | |
文献子类 | 期刊论文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18957] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Hua YL,Xie CQ,Liu M. Realization of near-perfect absorption in the whole reststrahlen band of SiC[J]. Nanoscale,2018. |
APA | Hua YL,Xie CQ,&Liu M.(2018).Realization of near-perfect absorption in the whole reststrahlen band of SiC.Nanoscale. |
MLA | Hua YL,et al."Realization of near-perfect absorption in the whole reststrahlen band of SiC".Nanoscale (2018). |
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