基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器

	基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器
	吴全潭; 时拓; 赵晓龙; 张续猛; 伍法才; 曹荣荣; 龙世兵; 吕杭炳; 刘琦; 刘明
刊名	ACTA PHYSICA SINICA
	2017-09-13
文献子类	期刊论文
英文摘要	报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件. 该器件不需要电预处理过程, 且具有自限流的双极性阻变行为; 具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间. 该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性, 即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控, 使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为. 综上所述, 基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18168]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴全潭,时拓,赵晓龙,等. 基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2017.
APA	吴全潭.,时拓.,赵晓龙.,张续猛.,伍法才.,...&刘明.(2017).基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器.ACTA PHYSICA SINICA.
MLA	吴全潭,et al."基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器".ACTA PHYSICA SINICA (2017).