Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 硅器件与集成研发中心

	Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance
	Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Lu J(陆江); Yu QQ(喻巧群); Liu HN(刘海南); Han ZS(韩郑生); Wang LX(王立新)
刊名	Chin. Phys. B
	2017-03-01
文献子类	期刊论文
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18030]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
通讯作者	Luo JJ(罗家俊)
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Li B,Luo JJ,Lu J,et al. Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance[J]. Chin. Phys. B,2017.
APA	Li B.,Luo JJ.,Lu J.,Yu QQ.,Liu HN.,...&Wang LX.(2017).Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance.Chin. Phys. B.
MLA	Li B,et al."Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance".Chin. Phys. B (2017).