Complexity of the Total Dose Radiation Response of Fully Depleted Silicon On Insulator NMOSFETs | |
Zheng ZS(郑中山); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊); Gao JT(高见头); Li BH(李彬鸿) | |
2016-10-28 | |
文献子类 | 会议论文 |
语种 | 英语 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16328] |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zheng ZS,Han ZS,Luo JJ,et al. Complexity of the Total Dose Radiation Response of Fully Depleted Silicon On Insulator NMOSFETs[C]. 见:. |
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