SOI总剂量效应研究进展

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	SOI总剂量效应研究进展
	卜建辉; 赵发展; 刘刚; 刘梦新; 韩郑生
	2011-11-18
英文摘要	SOI技术在期间结构上有着独特的优势，与体硅电路相比，SOI CMOS电路在抗单粒子、抗瞬时辐照方面有着突出优势，在航天等领域有着广泛的应用。但其BOX层的存在使其抗总剂量辐照性能变差。本文主要介绍了总剂量辐照引起的氧化物陷阱电荷、界面态电荷的建立机制以及与其形成相关的主要因素，并在此基础上阐述了总剂量辐照加固的各种方法，最后对总剂量辐照器件模型做了介绍。
会议录	第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/13480]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	卜建辉,赵发展,刘刚,等. SOI总剂量效应研究进展[C]. 见:.