高速率半导体光发射组件的封装结构及方法

	高速率半导体光发射组件的封装结构及方法
	吴德馨; 杨成樾; 李宝霞
	2007-08-15
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN101017956
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。
公开日期	2007-08-15
申请日期	2006-02-08
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8164]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴德馨,杨成樾,李宝霞. 高速率半导体光发射组件的封装结构及方法. CN101017956. 2007-08-15.