一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元

	一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元
	陈勇; 周玉梅
	2012-02-08
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810227127.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，包括：一差分输入级，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入信号；一内部源极跟随器，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入级的输出信号；一电流源，提供双二阶单元支路电流；一级间差分电容，包括两个电容，确定双二阶单元的极点特性；一反相前馈电容组件，包括两个电容，抵消非理想因素，提高零点Q 值；一同相前馈电容组件，包括两个电容，确定双二阶单元的复数共轭零点特性。本发明解决了零点Q值降低的问题，提出一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，可以采用级联设计方法实现零极点型高阶滤波器。
公开日期	2009-06-03
申请日期	2008-11-21
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7702]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈勇,周玉梅. 一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元. CN200810227127.1. 2012-02-08.