基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法

	基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法
	姬濯宇; 涂德钰; 胡文平; 刘明; 王丛舜
	2008-07-02
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200510109338.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下： 1.在基片表面上淀积绝缘薄膜；2.在绝缘薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到下电极图形；3.蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；4.旋涂抗蚀剂，光刻得到与下电极交叉的上电极图形；5.蒸发、剥离金属得到上电极；6.液相法自组织生长有机分子材料；7.干法刻蚀多余的有机分子材料，完成交叉线有机分子器件的制备。
公开日期	2007-04-18
申请日期	2005-10-13
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7274]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	姬濯宇,涂德钰,胡文平,等. 基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法. CN200510109338.1. 2008-07-02.