GaAs背面通孔刻蚀技术研究

	GaAs背面通孔刻蚀技术研究
	刘训春; 陈震; 魏珂; 王润梅; 刘新宇; 吴德馨
刊名	功能材料与器件学报
	2004
卷号	10 期号:2 页码:255-258
关键词	通孔感应离子耦合（icp）干法刻蚀
ISSN号	1007-4252
产权排序	1
英文摘要	比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术，并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术，采用CCl2F2／Ar混合气体，对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究。通过优化气压、射频功率、CCl2F2／Ar混合气体组分配比，在CCl2F2流量为200sccm，Ar流量为10sccm，源功率Pa=400W，偏压功率Pb=14W，自偏压Vb=120V，真空度P=43Pa时，得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4．3μm／min)。
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1072]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘训春,陈震,魏珂,等. GaAs背面通孔刻蚀技术研究[J]. 功能材料与器件学报,2004,10(2):255-258.
APA	刘训春,陈震,魏珂,王润梅,刘新宇,&吴德馨.(2004).GaAs背面通孔刻蚀技术研究.功能材料与器件学报,10(2),255-258.
MLA	刘训春,et al."GaAs背面通孔刻蚀技术研究".功能材料与器件学报 10.2(2004):255-258.