痕量气体同位素富集系统和方法

	痕量气体同位素富集系统和方法
	孙良亭; 卢征天; 武启; 杨伟顺; 刘建立; 陈沁闻; 胡强; 姚庆高; 张金泉; 贾泽华
	2018-09-04
著作权人	中国科学院近代物理研究所
专利号	CN108479394A
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明采用强流ECR(Electron Cyclotron Resonance)离子源技术，通过高效离化产生约10mA的Ar+离子束流，结合有效的离子分离系统来实现氩同位素的分离，富集速度较使用传统离子源技术的方案提高3个量级。使用了烘烤、气体循环及提纯设计，提高了实验结果的精度及最终的富集率。本发明最终能够将39Ar同位素丰度从原始的10‑16量级提高两个量级，结合同位素定年的技术，有望填补50～1500年区间精确定年的国际空白。本发明也能用于其它类似的同位素富集，只需根据待富集同位素的不同，对离子分离系统的运行参数进行调节即可。
公开日期	2018-09-04
申请日期	2018-03-14
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://119.78.100.186/handle/113462/60703]
专题	中国科学院近代物理研究所
作者单位	中国科学院近代物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	孙良亭,卢征天,武启,等. 痕量气体同位素富集系统和方法. CN108479394A. 2018-09-04.