一种散裂靶靶球表面金属等离子体浸没离子注入与沉积复合强化处理方法 | |
吕文泉; 何源; 王志光; 刘杰 | |
2018-12-11 | |
著作权人 | 中国科学院近代物理研究所 |
专利号 | CN108977759A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及粉末冶金技术领域,更具体地公开了一种散裂靶靶球表面金属等离子体浸没离子注入与沉积复合强化处理方法,所述强化处理方法包括散裂靶靶球的预处理,TiSiN、TiAlN、TiAlSiN、TiAlSiN/h‑BN离子注入与沉积等步骤。本发明解决了粉末冶金技术制备的非金属间化合物形态的散裂靶钨铁镍靶球磨损率高,薄膜与基体之间残余应力大、膜基结合力差和单一膜层承载能力差等问题,有效抑制了薄膜表面剥落,并能够制备出一种高膜基结合力,高硬度、摩擦系数低、耐磨损能力强的梯度功能复合薄膜。 |
公开日期 | 2018-12-11 |
申请日期 | 2018-09-20 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://119.78.100.186/handle/113462/60522] |
专题 | 中国科学院近代物理研究所 |
作者单位 | 中国科学院近代物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕文泉,何源,王志光,等. 一种散裂靶靶球表面金属等离子体浸没离子注入与沉积复合强化处理方法. CN108977759A. 2018-12-11. |
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