一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法 | |
张立 ; 何军 ; 张大成 ; 黄贤 ; 赵丹淇 ; 王玮 ; 杨芳 ; 田大宇 ; 刘鹏 ; 李婷 ; 罗葵 | |
2014 | |
英文摘要 | 本发明公开了一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法,仅在功能区域进行刻蚀工艺前添加上述工艺流程,避免增加功能器件设计的复杂;利用检测区域电容变化反应功能区域侧壁粗糙,减小了小尺寸带来的误差,同时避免裂断面等对器件结构有损害的操作,实现对刻蚀结构的无损检测;检测区域数目由功能区域刻蚀窗口大小种类决定,实现了更加精准地检测不同条件下的刻蚀侧壁粗糙目的,同时实现对不同刻蚀条件下侧壁粗糙的一步检测。本发明设计的工艺流程简单,各工序均为成熟技术,工艺难度较低,实现简便,易于操作。; 0 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 其他 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/187059] ![]() |
专题 | 软件与微电子学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张立,何军,张大成,等. 一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法. 2014-01-01. |
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