| 离子注入对Si<,3>N<,4>薄膜应力的影响 | |
| 张国炳 ; 徐嘉佳 ; 张劲宇 ; 郝一龙 | |
| 2003 | |
| 关键词 | 离子注入 Si& 薄膜应力 微电子机械系统 ,3& N& ,4& lt gt lt gt |
| 英文摘要 | 为了解决微电子特别是MEMS(微电子机械系统)器件结构中的氮化硅薄膜的应力问题,本文采用了离子注入的方法来获得低应力的氮化硅,分别比较了不同注入的离子(B离子和P离子)的注入剂量、注入能量对氮化硅应力的影响,从而得出减小应力的最佳注入参数.随后根据微电子工艺的特点也进行了注入后的退火实验并比较了退火对氮化硅应力的影响,发现其对硼离子注入的氮化硅应力影响较大.并通过对一种采用此注入参数的氮化硅薄膜作为谐振梁材料的微型传感器SEM的观察验证了本文讨论的减小应力方法的可行性.; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/330827]  |
| 专题 | 信息科学技术学院 软件与微电子学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张国炳,徐嘉佳,张劲宇,等. 离子注入对Si<,3>N<,4>薄膜应力的影响. 2003-01-01. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论