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	基于单根砷掺杂氧化锌纳米线的电学及光学特性
	张俊艳 ; 邓天松 ; 沈昕 ; 朱孔涛 ; 张琦锋 ; 吴锦雷
	2008
关键词	氧化锌纳米线 光学特性 化学气相沉积 热扩散 场效应晶体管 带边 开启电压 激子结合能 导电类型 旋涂
英文摘要	由于具有较宽的带隙(3.37 eV)和室温下较大的激子结合能(60 meV),氧化锌被视为构建近紫外发光二极管和激光器件的最有应用前景的候选材料之一。一般的非掺杂氧化锌呈 n 型导电类型, 由于自补偿效应、低溶解度、深缺陷能级等原因使得氧化锌的 p 型掺杂较难实现。许多研究小组致力于将Ⅴ族元素及Ⅰ族元素充当受主掺杂离子来获得 p 型的氧化锌材料,且逐步取得了进展。近年来,砷的热扩散掺杂已被证实为一种简单且有效的掺杂方式。区别于其他相关小组的块体、薄膜、棒(线)阵列的研究,我们针对单根的砷掺杂的氧化锌纳米线继续进行深入研究。我们采用化学气相沉积(CVD)的方法于砷化镓基底上合成直径为20 nm ...; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/290822]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	张俊艳,邓天松,沈昕,等. 基于单根砷掺杂氧化锌纳米线的电学及光学特性. 2008-01-01.

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