反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法

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	反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法; A Dual-Purpose Method to Enhance Heat Transfer and Prevent Notching Effect in Deep Reactive Ion Etching
	丁海涛 ; 杨振川 ; 闫桂珍
刊名	电子学报
	2010
关键词	反应离子深刻蚀热传递 notching效应
英文摘要	提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法,尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属,以加强刻蚀过程中产生的热量的消散,降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验证了该方法的有效性.同时,金属层也抑制了刻蚀离子所带电荷在绝缘介质层上的积累,防止了自建电场的产生,抑制了notching效应.该方法通过扫描电子显微镜的测量也得到了实验验证.加工了一个SOI梳齿驱动器,检验了本方法的有效性和适应性.; 国家自然科学基金重点项目; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 5; 1201-1204; 38
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/248984]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	丁海涛,杨振川,闫桂珍. 反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法, A Dual-Purpose Method to Enhance Heat Transfer and Prevent Notching Effect in Deep Reactive Ion Etching[J]. 电子学报,2010.
APA	丁海涛,杨振川,&闫桂珍.(2010).反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法.电子学报.
MLA	丁海涛,et al."反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法".电子学报 (2010).