全电流模型的比例差分特性

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.016

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	全电流模型的比例差分特性; Proportional Difference Characteristics of Complete Current Model
	杨存宇 ; 谭长华 ; 许铭真
刊名	半导体学报
	2001
关键词	比例差分算符 Pao-Sah双积分模型谱峰
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.016
英文摘要	用比例差分算符(PDO)方法研究了长沟MOSFET在各个工作区域(亚阈区和饱和区)的比例差分特性．利用PDO方法研究全电流Pao-Sah双积分模型，结果发现源漏电流的比例差分特性在所有的工作区域内都有谱峰特性，其峰值和峰位与MOSFET的电学参数(如有效迁移率、热电势和阈值电压等)直接相关．利用PDO方法可以避免冗繁地计算双积分公式，并可以容易地提取出重要的MOSFET电学参数．; The Proportional Difference Operator(PDO) method is proposed to study the proportional difference characteristic of long-channel MOSFETs at all regions,including the subthreshold region and the saturation region.Using the PDO method,the double-integral expression established by Pao and Sah is studied and the proportional difference characteristics of the drain current at all operation regions are shown to be of the spectral nature.The peak position and amplitude are found to have direct relations with some important characteristic parameters of MOSFETs(such as effective carrier mobility,thermal voltage and threshold voltage,etc),so complicated double-integral expression can be avoided and useful information can be got using the PDO method.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 3; 322-328; 22
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/186702]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	杨存宇,谭长华,许铭真. 全电流模型的比例差分特性, Proportional Difference Characteristics of Complete Current Model[J]. 半导体学报,2001.
APA	杨存宇,谭长华,&许铭真.(2001).全电流模型的比例差分特性.半导体学报.
MLA	杨存宇,et al."全电流模型的比例差分特性".半导体学报 (2001).