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	用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
	许铭真 ; 谭长华 ; 何燕冬 ; 段小蓉
	2004
关键词	氮氧硅薄膜 软失效电导 软失效时间 缺陷导电
英文摘要	本文研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从Arrhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/186426]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	许铭真,谭长华,何燕冬,等. 用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导. 2004-01-01.

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