| Ni/Pt硅化物温度稳定性的研究 | |
| 黄伟 ; 张利春 ; 高玉芝 ; 金海岩 ; 卢建政 ; 张广勤 | |
| 2003 | |
| 关键词 | 硅化物 温度稳定性 快速热退火 |
| 英文摘要 | 本文对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明:在600℃~800℃范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100℃~150℃.并且依据吉布斯自由能理论,对在Ni(Pt)Si薄膜中掺有2％和4％的Pt样品进行了分析.结果表明:掺少量的Pt可以推迟NiSi向NiSi<,2>的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性.最后,制作了I-V特性良好的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管,更进一步地证明了掺少量的Pt改善了NiSi肖特基二极管的稳定性.; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185836]  |
| 专题 | 信息科学技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄伟,张利春,高玉芝,等. Ni/Pt硅化物温度稳定性的研究. 2003-01-01. |
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