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	亚100nm多栅MOSFET的三维模拟
	夏志良 ; 刘晓彦 ; 刘恩峰 ; 韩汝琦
	2002
关键词	阈值电压 三维模拟 短沟效应 场效应晶体管
英文摘要	使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185802]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	夏志良,刘晓彦,刘恩峰,等. 亚100nm多栅MOSFET的三维模拟. 2002-01-01.

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