| ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究 | |
| 王成伟 ; 闫桂珍 ; 朱泳 | |
| 2003 | |
| 关键词 | 微机电系统 硅深槽刻蚀 线宽控制 离子刻蚀 反应离子 钝化气体 |
| 英文摘要 | 在高密度反应离子刻蚀技术中,存在明显的线宽损失,对小尺寸MEMS结构影响很大,将使MEMS器件灵敏度下降,稳定性降低.本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4F8,同时适当减小循环周期的刻蚀时间,使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的155nm减少到55nm.此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中,取得了很好的结果.; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185789]  |
| 专题 | 信息科学技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王成伟,闫桂珍,朱泳. ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究. 2003-01-01. |
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