| 超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究 | |
| 许铭真 ; 谭长华 ; 段小蓉 ; 何燕冬 | |
| 2005 | |
| 关键词 | 超薄SiO2 软击穿 栅电流 饱和性质 I-V特性 电子速度饱和 比例差值方法 |
| 英文摘要 | 本文用电子速度饱和概念和比例差值方法(PDO)研究了超薄Si02在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关.基于缺陷散射机制,得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185607]  |
| 专题 | 信息科学技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许铭真,谭长华,段小蓉,等. 超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究. 2005-01-01. |
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