硅集成电路光刻技术的发展与挑战

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.001

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	硅集成电路光刻技术的发展与挑战; Development and Challenges of Lithography for ULSI
	王阳元 ; 康晋锋
刊名	半导体学报
	2002
关键词	光刻集成电路微电子
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.001
英文摘要	从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 3; 225-237; 23
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/183914]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	王阳元,康晋锋. 硅集成电路光刻技术的发展与挑战, Development and Challenges of Lithography for ULSI[J]. 半导体学报,2002.
APA	王阳元,&康晋锋.(2002).硅集成电路光刻技术的发展与挑战.半导体学报.
MLA	王阳元,et al."硅集成电路光刻技术的发展与挑战".半导体学报 (2002).