3.4nm超薄SiO2栅介质的特性

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	3.4nm超薄SiO2栅介质的特性; Electrical Characteristics of 3.4nm Gate Oxide
	许晓燕 ; 谭静荣 ; 高文钰 ; 黄如 ; 田大宇 ; 张兴
刊名	电子学报
	2002
关键词	超薄栅介质软击穿硼扩散
DOI	10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.031
英文摘要	用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nm SiO2栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm2.栅介质厚度相同的情况下,P+栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+栅样品.; 国家自然科学基金; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 2; 269-270; 30
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23813]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	许晓燕,谭静荣,高文钰,等. 3.4nm超薄SiO2栅介质的特性, Electrical Characteristics of 3.4nm Gate Oxide[J]. 电子学报,2002.
APA	许晓燕,谭静荣,高文钰,黄如,田大宇,&张兴.(2002).3.4nm超薄SiO2栅介质的特性.电子学报.
MLA	许晓燕,et al."3.4nm超薄SiO2栅介质的特性".电子学报 (2002).