利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.004

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究; Investigation of Gate Defects in Ultrathin MOS Structures Using DTRS Technique
	霍宗亮 ; 杨国勇 ; 许铭真 ; 谭长华 ; 段小蓉
刊名	半导体学报
	2002
关键词	隧穿 MOS器件比例差分算符 tunneling metal-oxide-semiconductor device proportional difference operator
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.004
英文摘要	给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退化过程中存在着两种陷阱.更进一步的研究发现,直接隧穿应力下超薄栅氧化层(＜3nm)中的界面/氧化层陷阱的密度以及俘获截面小于FN 应力下厚氧化层(＞4nm)中界面/氧化层陷阱的密度和俘获截面,同时发现超薄氧化层中氧化层陷阱的矩心更靠近阳极界面.; A detailed description of relaxation spectroscopy technique under direct tunneling stress is given.A double peak phenomena by applied relaxation spectroscopy on ultra-thin (＜3nm) gate oxide is found.It suggests that two kinds of traps exist in the degradation of gate oxide.It is also observed that both the trap density and the generation/capture cross-section of oxide trap and interface trap are smaller in ultra-thin gate oxide (＜3nm) under DT stress than those in the thicker oxide (＞4nm) under FN stress,and the centroid of oxide trap is closer to anode interface than in the center of oxide.; 国家科技攻关项目; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 11; 1146-1153; 23
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/22893]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	霍宗亮,杨国勇,许铭真,等. 利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究, Investigation of Gate Defects in Ultrathin MOS Structures Using DTRS Technique[J]. 半导体学报,2002.
APA	霍宗亮,杨国勇,许铭真,谭长华,&段小蓉.(2002).利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究.半导体学报.
MLA	霍宗亮,et al."利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究".半导体学报 (2002).