超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)

	超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)
	Liu Xiaofeng(刘晓峰) ; Feng Yuchun(冯玉春) ; Peng Dongsheng(彭冬生)
刊名	电子器件
	2008
卷号	31 期号:1 页码:61-64
ISSN号	1005-9490
学科主题	物理科学和化学
语种	中文
公开日期	2011-10-08
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/11665]
专题	西安光学精密机械研究所_研究生部
推荐引用方式 GB/T 7714	Liu Xiaofeng(刘晓峰),Feng Yuchun(冯玉春),Peng Dongsheng(彭冬生). 超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)[J]. 电子器件,2008,31(1):61-64.
APA	Liu Xiaofeng,Feng Yuchun,&Peng Dongsheng.(2008).超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文).电子器件,31(1),61-64.
MLA	Liu Xiaofeng,et al."超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)".电子器件 31.1(2008):61-64.