| 题名 | 场助红外半导体光电阴极的研究 |
| 作者 | 李晋闽 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1990 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
| 导师 | 侯洵 |
| 学位专业 | 光学 |
| 中文摘要 | 本文是围绕我所863高技术计划中“1.0 ～ 1.6μm 超短脉冲扫描相机“项目而开展的研究工作。文中对场助红外半导体光电阴极从理论分析、结构设计到工艺技术进行了系统研究。根据对场助阴极的量子效率、暗电流发射以及能带分布的计算结果，设计了四种结构的场助半导体光电阴极；利用液相外延生长技术，生长出电学参数及冶金学参数均令人满意的半导体光电阴极材料；并在国内首次实现了在0.90μm ～ 1.25μm 波段范围具有较高光电响应的半导体光电阴极。通过对六种场助与非场助的直接发射以及异质结传输发射半导体光电阴极的激活实验，得到了在0.9μm 和1.25μm处量子效率分别为4.8%和0.11%的最佳值。文中还对GaAs衬底上生长的InP/InGaAsP/InP异质结光电阴极进行了探讨并获得了好的结果，为开发低成本、高性能的半导体光电器件取得了一些经验。另外，本文还对场助红外半导体光电阴极的材料生长、激活工艺、表面清洁的最佳条件以及场助肖特基结的制备和热退化机理进行了研究。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 光学 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 135 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12668]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晋闽. 场助红外半导体光电阴极的研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.. 1990. |
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