| 题名 | 古斯-汉欣位移的增强研究 |
| 作者 | 葛国库 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2008-05-27 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 导师 | 李春芳 |
| 关键词 | 古斯-汉欣位移 稳态相位法 共振增强 薄介质膜 |
| 学位专业 | 光学工程 |
| 中文摘要 | 古斯–汉欣位移在光通信、近场光学探测等领域中具有十分重要的地位。在单一界面上，全反射光束的古斯-汉欣位移不足一个波长，很难进行测量，从而阻碍了它在实际中应用。近年来，古斯–汉欣位移的增强成为该领域研究的热点之一。本文首先介绍了有关古斯-汉欣位移的发展、现状及理论研究的主要方法——稳态相位法和能流法。在此基础上，用稳态相位法分别对镀介质膜的棱镜结构、单侧镀膜的对称双棱镜结构及增益介质膜结构中反射和透射光束的古斯–汉欣位移进行了理论分析，讨论了入射角变化、薄膜厚度变化及空隙宽度变化与古斯-汉欣位移变化的规律。研究发现，三种结构中的古斯–汉欣位移均随入射角或薄膜厚度变化而共振增强，可达几十甚至几百波长。在单侧镀膜的对称双棱镜结构中，若在入射侧棱镜的斜面上镀介质膜，反射光束的古斯–汉欣位移约为透射光束位移的一半；若在透射侧棱镜的斜面上镀介质膜，反射光束的古斯–汉欣位移在共振点附近为负位移。在弱增益介质膜结构中，可获得很大的负位移共振峰且易于测量。为了验证理论结果，用微波束入射薄膜增强结构，测量了反射微波束的古斯-汉欣位移，讨论了实验误差及应采取的措施。结果表明，对线偏振电磁波，理论结果与实验结果符合得很好。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 光学工程 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 60 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12078]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛国库. 古斯-汉欣位移的增强研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所. 2008. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论