二维Bi_2Se_3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究 | |
吴金雄 ; 刘忠范 ; 彭海琳 | |
2016 | |
关键词 | 拓扑绝缘体 二维晶体 荧光猝灭 Bi_2Se_3 |
英文摘要 | 以石墨烯和拓扑绝缘体为代表的狄拉克材料(Dirac Materials)是近几年新涌现的二维量子功能材料,其表面态载流子有效质量为零,能量和动量之间满足线性关系,需要用相对论狄拉克方程描述~[1]。石墨烯是由碳原子以sp~2杂化连接的单原子层构成的二维原子晶体,具有自旋简并的狄拉克锥型表面态;而拓扑绝缘体是一种全新的量子材料,具有绝缘性体能带结构和受时间反演对称性保护的自旋极化的金属表面态~[2]。石墨烯是良好的荧光猝灭基底,并被广泛研究~[3]。而拓扑绝缘体二维材料的荧光猝灭效应并未见报道。我们首次研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3二维晶体对其表面吸附的罗丹明6G分子的荧光猝灭效应,证明薄层Bi_2Se_3可以有效猝灭罗丹明6G分子的荧光,且随Bi_2Se_3二维晶体的厚度从单层增加到8层,荧光猝灭效应增强,并初步探讨了其荧光猝灭机理。; 中国化学会; 1 |
语种 | 英语 |
出处 | 中国化学会第30届学术年会-第四十一分会:纳米材料与器件 |
内容类型 | 其他 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/482985] |
专题 | 化学与分子工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴金雄,刘忠范,彭海琳. 二维Bi_2Se_3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究. 2016-01-01. |
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