一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法

	一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法; 一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法
	李智勇
专利国别	中国
专利号	CN201010121742.1
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种绝缘体上的硅基光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有光栅，在该顶硅层一侧靠近光栅处为锥形波导，该锥形波导大于80μm，与锥形波导连接处为亚微米波导；一光纤，该光纤的一端靠近顶硅层上的光栅。
公开日期	2011-08-30
语种	中文
专利申请号	CN201010121742.1
专利代理	汤保平
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21957]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	李智勇. 一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法, 一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法. CN201010121742.1.