slot波导包覆层对功率密度的影响

	slot波导包覆层对功率密度的影响
	安俊明; 宋世娇
刊名	半导体光电
	2010
卷号	31 期号:5 页码:705-708
中文摘要	理论模拟研究了硅基绝缘(SOI)的slot波导中槽内限制功率与slot波导的结构参数以及包覆层折射率的关系.结果表明,如果包覆层的折射率偏离衬底SiO2的折射率,相同参数下的slot波导的传输损耗大于包覆层为SiO2的结构的传输损耗.分析表明,如果包层与衬底折射率不同,限制的光功率会从slot缝隙中渗透到折射率较高的衬底或者包层中,从而引起能量的损耗.理论模拟得到了在缝隙宽度为0.12μm的情况下, slot波导槽内最大的光功率限制为28.54%,这个值包含了纳米线波导与slot波导直接耦合产生的耦合损耗以及slot波导自身的传输损耗
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家"863"计划项目,国家自然科学基金项目
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21522]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	安俊明,宋世娇. slot波导包覆层对功率密度的影响[J]. 半导体光电,2010,31(5):705-708.
APA	安俊明,&宋世娇.(2010).slot波导包覆层对功率密度的影响.半导体光电,31(5),705-708.
MLA	安俊明,et al."slot波导包覆层对功率密度的影响".半导体光电 31.5(2010):705-708.