Si纳米线阵列波导光栅制备

	Si纳米线阵列波导光栅制备
	宋世娇; 赵雷; 安俊明; 张家顺
刊名	光电子·激光
	2010
卷号	21 期号:10 页码:1431-1434
中文摘要	采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm.利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的稳态分布,模拟结果表明,器件的通道间隔为11 nm,通道间的串扰为18 dB.通过电子束曝光(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀制备了所设计的器件,光输出谱测试分析表明,器件中心通道的片上损耗为9 dB,通道间隔为8.36~10.40 nm,中心输出通道的串扰为6 dB.在误差允许范围内,设计和测试的结果一致
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	科技部"863"计划资助项目,国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21520]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	宋世娇,赵雷,安俊明,等. Si纳米线阵列波导光栅制备[J]. 光电子·激光,2010,21(10):1431-1434.
APA	宋世娇,赵雷,安俊明,&张家顺.(2010).Si纳米线阵列波导光栅制备.光电子·激光,21(10),1431-1434.
MLA	宋世娇,et al."Si纳米线阵列波导光栅制备".光电子·激光 21.10(2010):1431-1434.