| A 2.4 GHz power amplifier in 0.35 μm SiGe BiCMOS | |
| Hao Mingli ; Shi Yin | |
| 刊名 | Journal of Semiconductors
 |
| 2010 | |
| 卷号 | 31期号:1页码:65-68 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 公开日期 | 2011-08-04 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21490]  |
| 专题 | 半导体研究所_高性能集成电路实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hao Mingli,Shi Yin. A 2.4 GHz power amplifier in 0.35 μm SiGe BiCMOS[J]. Journal of Semiconductors,2010,31(1):65-68. |
| APA | Hao Mingli,&Shi Yin.(2010).A 2.4 GHz power amplifier in 0.35 μm SiGe BiCMOS.Journal of Semiconductors,31(1),65-68. |
| MLA | Hao Mingli,et al."A 2.4 GHz power amplifier in 0.35 μm SiGe BiCMOS".Journal of Semiconductors 31.1(2010):65-68. |
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