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	脉冲磁场下水热法制备Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体
	朱明原[1]; 刘聪[2]; 薄伟强[3]; 舒佳武[4]; 胡业旻[5]; 金红明[6]; 王世伟[7]; 李瑛[8]
刊名	物理学报
	2012
卷号	61页码:506-510
关键词	脉冲磁场 水热法 稀磁半导体 Cr掺杂ZnO
ISSN号	1000-3290
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2299301
专题	上海大学
作者单位	[1]上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院,上海200072[2]上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院,上海200072[3]上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院,上海200072[4]上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院,上海200072[5]上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院,上海200072[6]上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院,上海200072[7]上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院,上海200072[8]上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院,上海200072
推荐引用方式 GB/T 7714	朱明原[1],刘聪[2],薄伟强[3],等. 脉冲磁场下水热法制备Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体[J]. 物理学报,2012,61:506-510.
APA	朱明原[1].,刘聪[2].,薄伟强[3].,舒佳武[4].,胡业旻[5].,...&李瑛[8].(2012).脉冲磁场下水热法制备Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体.物理学报,61,506-510.
MLA	朱明原[1],et al."脉冲磁场下水热法制备Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体".物理学报 61(2012):506-510.

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