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	脉冲磁场对水热法制备Mn掺杂ZnO稀磁半导体的影响
	王世伟[1]; 朱明原[2]; 钟民[3]; 刘聪[4]; 李瑛[5]; 胡业旻[6]; 金红明[7]
刊名	物理学报
	2012
卷号	61页码:198103
关键词	稀磁半导体 Mn掺杂ZnO 脉冲磁场 水热法
ISSN号	1000-3290
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2297852
专题	上海大学
作者单位	[1] 上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072, 中国[2] 上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072, 中国[3] 上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072, 中国[4] 上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072, 中国[5] 上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072, 中国[6] 上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072, 中国[7] 上海大学微结构重点实验室,上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	王世伟[1],朱明原[2],钟民[3],等. 脉冲磁场对水热法制备Mn掺杂ZnO稀磁半导体的影响[J]. 物理学报,2012,61:198103.
APA	王世伟[1].,朱明原[2].,钟民[3].,刘聪[4].,李瑛[5].,...&金红明[7].(2012).脉冲磁场对水热法制备Mn掺杂ZnO稀磁半导体的影响.物理学报,61,198103.
MLA	王世伟[1],et al."脉冲磁场对水热法制备Mn掺杂ZnO稀磁半导体的影响".物理学报 61(2012):198103.

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