RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究

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	RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究
	艾斌 ; 沈辉 ; 班群 ; 王晓晶 ; 梁宗存 ; 廖显伯
	2002-10-23
会议名称	中国第七届光伏会议
会议日期	2002-10-23
会议地点	杭州
关键词	化学气相沉积多晶硅薄膜电学性能薄膜太阳能电池薄膜结构
中文摘要	使用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜.分别利用XRD SEM、高阻Hall测量和光电导谱测量了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的征多晶硅薄膜具有[111]择优生长取向,而轻掺硼的多晶硅薄膜则同时具有[311]和[200]两个晶向上的掺优取向.通过轻微掺入硼,多晶硅薄膜晶粒尺寸分布的均匀性得到了很大提高.高阻Hall测量表明轻掺硼的多晶硅薄膜具有更高的Hall迁移率既而具有更好的电学性能.由光电导谱测得的多晶硅薄膜的光学带隙与晶体硅的非常接近,在1.1eV左右.
会议主办者	中国太阳能学会
会议录	中国第七届光伏会议论文集
会议录出版者	杭州
会议录出版地	杭州
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7942]
专题	中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	艾斌,沈辉,班群,等. RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究[C]. 见:中国第七届光伏会议. 杭州. 2002-10-23.