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	InGa(N)As/GaAs 单量子阱界面随退火演化的光致发光探测
	Shao, Jun[1]; Qi, Zhen[2]; Zhao, H.[3]; Zhu, Liang[4]; Song, Yuxin[5]; Chen, Xiren[6]; Zha, F.X.[7]; Guo, Shaoling[8]; Wang, S. M.[9]
刊名	Journal of Applied Physics
	2015
卷号	118页码:165305
关键词	KeyWords Plus:MOLECULAR-BEAM EPITAXY TEMPERATURE-DEPENDENCE MAGNETIC-FIELD GAINNAS GAP SEMICONDUCTORS SPECTROSCOPY LASERS
ISSN号	0021-8979
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2266874
专题	上海大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Shao, Jun[1],Qi, Zhen[2],Zhao, H.[3],等. InGa(N)As/GaAs 单量子阱界面随退火演化的光致发光探测[J]. Journal of Applied Physics,2015,118:165305.
APA	Shao, Jun[1].,Qi, Zhen[2].,Zhao, H.[3].,Zhu, Liang[4].,Song, Yuxin[5].,...&Wang, S. M.[9].(2015).InGa(N)As/GaAs 单量子阱界面随退火演化的光致发光探测.Journal of Applied Physics,118,165305.
MLA	Shao, Jun[1],et al."InGa(N)As/GaAs 单量子阱界面随退火演化的光致发光探测".Journal of Applied Physics 118(2015):165305.

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