| 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法 | |
| 张文伟 | |
| 2018-12-21 | |
| 著作权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 专利号 | CN201810266977.6 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 其他题名 | 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。本发明提出的一种集束晶圆级老化处理方法，该方法可有效提高芯片老化处理的可靠性，同时提高芯片的质量。一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。 |
| 学科主题 | H01l21/66 |
| 公开日期 | 2018-07-31 |
| DOI标识 | H01L21 |
| 申请日期 | 2018-03-28 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31047]  |
| 专题 | 其它单位_其它部门 |
| 作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张文伟. 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法. CN201810266977.6. 2018-12-21. |
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