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	制备条件对ATO包覆氧化硅导电粉电性能的影响 (EI收录)
	颜东亮[1,3]; 郭子龙[1]; 陈林[2]; 吴建青[3]
刊名	《材料导报》
	2012
卷号	26页码:9-11
关键词	非均匀成核法 正交实验 制备条件
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2246062
专题	华南理工大学
作者单位	1.[1]桂林电子科技大学材料科学与工程学院,桂林541004 2.[2]萍乡高等专科学校化学工程系,萍乡337055 3.[3]华南理工大学材料科学与工程学院,广州510640
推荐引用方式 GB/T 7714	颜东亮[1,3],郭子龙[1],陈林[2],等. 制备条件对ATO包覆氧化硅导电粉电性能的影响 (EI收录)[J]. 《材料导报》,2012,26:9-11.
APA	颜东亮[1,3],郭子龙[1],陈林[2],&吴建青[3].(2012).制备条件对ATO包覆氧化硅导电粉电性能的影响 (EI收录).《材料导报》,26,9-11.
MLA	颜东亮[1,3],et al."制备条件对ATO包覆氧化硅导电粉电性能的影响 (EI收录)".《材料导报》 26(2012):9-11.

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