| ESD保护器件GGNMOS的理论建模 | |
| 刘瑶 [1]; 姚若河 [2]; 罗宏伟 [3]; 李永坤 [3] | |
| 会议名称 | 中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会 |
| 会议日期 | 2006年10月22日 |
| 会议地点 | 福建武夷山 |
| 关键词 | ESD应力 GGNMOS 电热效应 二次击穿 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2114604 |
| 专题 | 华南理工大学 |
| 作者单位 | [1]华南理工大学物理与科学技术学院微电子系,广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610 [2]华南理工大学物理与科学技术学院微电子系,广州,510640 [3]电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘瑶 [1],姚若河 [2],罗宏伟 [3],等. ESD保护器件GGNMOS的理论建模[C]. 见:中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会. 福建武夷山. 2006年10月22日. |
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