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	The evolution of ablation area induced by femtosecond laser (EI收录)
	Yuan, D.Q.[1]; Zhou, M.[2]; Lu, D.Q.[1]; Wang, H.M.[1]; Xu, J.T.[1]
会议名称	Procedia Engineering
会议日期	December 24, 2011 - December 25, 2011
会议地点	Shenzhen, China
关键词	Power electronics Silicon Ultrashort pulses
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2060613
专题	华南理工大学
作者单位	1.[1] Department of Mathematics and Physics, Huai Hai Institute of Technology, Lianyungang, Jiangsu, 222001, China 2.[2] Center for Photo Manufacturing Science and Technology, Jiangsu University, Zhenjiang Jiangsu 212013, China
推荐引用方式 GB/T 7714	Yuan, D.Q.[1],Zhou, M.[2],Lu, D.Q.[1],等. The evolution of ablation area induced by femtosecond laser (EI收录)[C]. 见:Procedia Engineering. Shenzhen, China. December 24, 2011 - December 25, 2011.

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