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	Impacts of Process Variability of Alternating-Material Self-Aligned Multiple Patterning on SRAM Circuit Performance (CPCI-S收录)
	Han, Ting[1]; Hong, Chuyang[1]; Cheng, Qi[1]; Chen, Yijian[1]
关键词	SRAM circuit variability static noise margin (SNM) alternating-material (dual-material) self-aligned multiple patterning (altSAMP) edge-placement errors (EPE)
URL标识	查看原文
内容类型	会议
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2039430
专题	华南理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Han, Ting[1],Hong, Chuyang[1],Cheng, Qi[1],等.Impacts of Process Variability of Alternating-Material Self-Aligned Multiple Patterning on SRAM Circuit Performance (CPCI-S收录).

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