| 硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响 | |
| 孙福河; 张晓丹; 王光红; 许盛之; 岳强; 魏长春; 孙建; 耿新华; 熊绍珍; 赵颖 | |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 2009 | |
| 卷号 | 第58卷页码:1293-1297 |
| 关键词 | 单室 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅 硼 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/1890359 |
| 专题 | 南开大学 |
| 作者单位 | 1.光电信息技术科学教育部重点实验室 2.光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 3.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙福河,张晓丹,王光红,等. 硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响[J]. 物理学报,2009,第58卷:1293-1297. |
| APA | 孙福河.,张晓丹.,王光红.,许盛之.,岳强.,...&赵颖.(2009).硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响.物理学报,第58卷,1293-1297. |
| MLA | 孙福河,et al."硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响".物理学报 第58卷(2009):1293-1297. |
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