子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究

CORC > 上海技术物理研究所 > 中国科学院上海技术物理研究所 > 上海技物所

	子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究
	乔辉; 李向阳
刊名	红外技术
	2017
期号	6 页码:489-494
关键词	暗电流子像元光伏器件漏电体积碲镉汞
英文摘要	针对碲镉汞光伏器件的暗电流随着物理面积增大而急剧增加,研究了子像元结构在降低大面积短波碲镉汞光伏器件暗电流方面的有效性.发现子像元结构在室温下相比常规结构可以有效降低器件的暗电流,但当温度降到180 K时,常规结构器件反而具有最小的暗电流,经过分析认为是子像元边界处引入的表面漏电所致.如果器件的表面态密度和表面固定电荷过多,会使得子像元边界在低温下引入表面隧穿电流和表面欧姆电流,这些与边界有关的表面漏电会成为低温下暗电流的主要成分,从而使子像元结构失去降低器件暗电流的优势.文章中同时给出了低温下子像元结构可以有效降低器件暗电流的条件,并针对不同的子像元结构,提出了漏电体积这一参量来评价不同结构子像元降低器件暗电流的效果.
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12252]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
作者单位	中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	乔辉,李向阳. 子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究[J]. 红外技术,2017(6):489-494.
APA	乔辉,&李向阳.(2017).子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究.红外技术(6),489-494.
MLA	乔辉,et al."子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究".红外技术 .6(2017):489-494.