QQ客服 官方微博 反馈留言

	High quality mid-infrared InAs film grown on (100) GaSb substrate by LPE using a ternary melt
	Sun CH(孙常鸿); Hu SH(胡淑红); Wang QW(王奇伟)
	2010-12-31
会议日期	2011-05-24
会议地点	0
学科主题	红外基础研究
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/5890]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	Sun CH,Hu SH,Wang QW. High quality mid-infrared InAs film grown on (100) GaSb substrate by LPE using a ternary melt[C]. 见:. 0. 2011-05-24.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。