| 题名 | 半导体量子阱的磁输运性质研究 |
| 作者 | 高矿红 |
| 答辩日期 | 2010-01-11 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 戴宁 |
| 关键词 | 自旋电子学 二维电子气 自旋－轨道耦合 电子－电子相互作用 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 研究了InGaAs/InAlAs和GaAs/AlGaAs量子阱材料中二维电子气的输运性质，获得以下结果：1、在InGaAs/InAlAs量子阱中，观察到反弱局域效应。利用Golub理论拟合实验数据得到的参量，表明在样品中存在极强的自旋－轨道耦合作用。同时，零场自旋分裂能最大值高达6.3 meV。由拟合得到的电子退相率随温度的升高而增大，该趋势可以用修正后的费米液滴理论进行定性地描述。退相率随系统电导的增强而增大，与费米液滴理论预言的结果矛盾。2、在中等磁场范围内，观察到了由电子－电子相互作用引起的抛物线形状的负磁电阻。通过拟合得到的电子－电子相互作用对电导的修正值大于理论预期值。此矛盾可以归因于样品中所观察到的正磁电阻成分。此外，观察到可以完美定义的绝缘体－量子霍尔导体转变。该转变的临界磁场随电子浓度的增加而增大，与已报道的实验结果矛盾。3、研究了GaAs/AlGaAs抛物形量子阱的输运性质。发现较高磁场引起了霍尔电阻的增强。然而，在另一个样品中却没有观察到此现象。分析认为，这主要是与量子阱中电子区的有效厚度有关。在只有一个能级占据的量子阱样品中，发现抽出的相互作用修正值随磁场倾斜角的增大而增大。这可能来源于（1）塞曼效应引起的电子－电子相互作用增强或者（2）由平行磁场引起的正磁电阻。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-09-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5174]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高矿红. 半导体量子阱的磁输运性质研究[D]. 中国科学院研究生院. 2010. |
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