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题名	碲镉汞材料和器件的氢化研究
作者	乔辉
答辩日期	2007-05-24
文献子类	硕士
授予单位	中国科学院研究生院
导师	龚海梅
关键词	氢化 Icp 碲镉汞红外探测器
学位专业	微电子学与固体电子学
英文摘要	论文中利用ICP设备研究了氢化对碲镉汞材料和器件光电性能的影响。主要研究内容分三部分，包括：碲镉汞材料的氢化，碲镉汞光导器件的氢化和碲镉汞光伏器件的氢化。结果表明，适当条件的氢化处理可以改善材料和器件的性能。取得的主要结果如下：1. 对N型碲镉汞材料进行适当条件的氢化处理可以在基本不影响载流子浓度的情况下大幅提高迁移率，提高少子寿命。2. 对ZnS作钝化层的光导器件，通过氢化处理可以提高其室温下的性能，由于光导器件的性能与介质层的固定电荷密度密切相关，实验中通过改变ZnS的厚度和氢化处理条件，发现介质层厚度和氢化处理条件会影响氢化效果。初步的结果是ZnS介质层较厚，降低等离子体的密度，提高离子能量能取得更好的效果。3. 通过对ZnS作钝化层的光导器件的研究表明，处理后器件性能的改善可能是由于不同的机制所致，发现光谱响应对比能更直接反映器件工艺改善的品质。4. 对碲镉汞光伏器件采用几种不同的氢化处理，发现通过选择合适的条件可以获得很好的氢化效果，氢化后器件的响应提高，噪声降低，优值因子R0A明显提高。理论分析表明，器件的暗电流主要是间接隧道电流限制和产生复合电流限制，氢化后载流子的间接跃迁中心密度和产生复合中心密度降低，从而改善了暗电流，提高了R0A。5. 综合对原本成结特性较差的器件的氢化以及氢化过程中的失效模式，我们认为光伏器件制备中的离子注入成结工艺导致的高密度的隧道中心可能是导致成品率较低的主要原因。
学科主题	红外探测材料与器件
公开日期	2012-08-14
内容类型	学位论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/4758]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	乔辉. 碲镉汞材料和器件的氢化研究[D]. 中国科学院研究生院. 2007.

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