| 题名 | InGaAs/InAlAs单量子阱中的电子自旋特性 |
| 作者 | 周文政 |
| 答辩日期 | 2007-06-05 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 褚君浩 |
| 关键词 | 二维电子气 磁输运 磁致子带间散射 拍频现象 自旋-轨道相互作用 自旋分裂 量子相干散射 弱局域 反弱局域 弹道输运 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 研究了Si 高δ单边掺杂和双边掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱的自旋输运特性。 研究了单边掺杂样品中二维电子气的自旋分裂。第一子带分裂成自旋向上和自旋向下子能带，自旋向上和自旋向下子能带SdH振荡的叠加，使得Rxx的SdH振荡出现拍频。研究了晶格失配样品的电子自旋特性。研究发现，样品结构中同时存在体反演不对称和结构反演不对称，零场自旋分裂包括由体反演不对称引起的项（Dresselhaus项）和由结构反演不对称引起的项（Rashba项）。由于正的Rashba项远远大于负的Dresselhaus项，所以自旋分裂始终是正值。低场范围，零场自旋分裂起主要作用；高场范围，Zeeman项在自旋分裂中占主导地位。研究了晶格匹配样品的电子自旋特性。研究发现，该高迁移率二维电子气系统中同时出现反弱局域效应和拍频效应。研究表明，零场自旋分裂仅来源于量子阱的结构反演不对称。在该材料系列中，第一次同时发现反弱局域效应和拍频效应。并且，第一次发现反弱局域效应处于弹道输运区。 研究了双边δ掺杂样品的磁输运特性。研究发现，纵向电阻Rxx出现的拍频振荡的来源并非电子的自旋分裂，而是来源于单量子阱中靠近异质界面两个三角阱基态（第一子带）的耦合作用所形成的对称态和反对称态。该单量子阱中二维电子气能级简并的消除优于自旋简并的消除。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-08-14 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4682]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周文政. InGaAs/InAlAs单量子阱中的电子自旋特性[D]. 中国科学院研究生院. 2007. |
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