| 题名 | 几种红外功能材料的显微光谱研究 |
| 作者 | 刘劼 |
| 答辩日期 | 2004-06-28 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 陆卫 |
| 关键词 | 红外光电功能材料 显微光谱 Cdznte Zn组分分布 Gaas/algaas Qwip材料 显微pl线扫描 Vo2薄膜 显微raman 结构相变 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 本论文基于探索红外光电材料和器件制备中的物理问题，利用近年来发展成熟起来的显微光谱技术，包括显微光致发光和显微喇曼，对三种红外光电功能材料进行了研究。我们的研究都是针对于解决这三种红外光电功能材料和器件研究中遇到的具体问题进行的，相信这对于这些材料的制备和器件研制有着积极的作用。主要内容如下：第一章回顾了红外探测器的发展简史，并介绍了光谱方法，特别是显微光谱技术对当今半导体物理的研究的意义。我们针对碲锌镉、GaAs/AlGaAs和VO2薄膜等材料，使用显微光谱技术进行的一些研究的内容。第二章介绍了用显微荧光(μ-PL)方法对在我国“神舟3号”上空间生长的CdZnTe晶片中Zn组分分布的研究.对晶片的单晶“壳”区及未完全熔化的“芯”区中的小结晶区域进行了逐点PL测量.对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度参数Eg ,其分布对应于CdZnTe中Zn的组分分布.测量结果给出了空间生长晶片Zn组分布的变化趋势和统计规律.作为比较,测量并分析了一块采用相同方法在地面生长的CdZnTe晶片.我们还统计分析了芯区内小晶粒的结晶取向。第三章介绍了一种显微荧光扫描检测量子阱红外探测器(QWIP)结构各层厚度的方法。这是一种方便、可靠、无损伤获得QWIPs结构各层厚度方法的方法，克服了其他检测方法上存在的一些不足。我们介绍了通过显微光荧光线扫描光谱获得的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料各层厚度的具体步骤和实验结果，包括显微光荧光光谱线扫描，光谱的拟合和分析，及得到的相应各层厚度等。第四章介绍了我们使用显微喇曼光谱法对VO2薄膜结构相变进行的研究。八块VO2薄膜样品在进行H＋注入时使用了材料组合法制备而成。我们使用了显微喇曼光谱法对8块样品分别进行了变温测量，在室温下观察到了差不多所有已知的模式，并且在变温过程中观察到了的滞回线。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-06-25 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4173]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘劼. 几种红外功能材料的显微光谱研究[D]. 中国科学院研究生院. 2004. |
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