一种提升石墨烯薄膜导电性能的方法

	一种提升石墨烯薄膜导电性能的方法
	黄德萍; 姜浩; 朱鹏; 史浩飞; 崔华亭; 钟达
	2017-03-29
著作权人	重庆墨希科技有限公司
专利号	2014102379741
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种提升石墨烯薄膜导电性能的方法，先用臭氧或紫外光/臭氧处理附着于基底上的石墨烯薄膜，再用非金属无机酸对附着于基底上的石墨烯薄膜进行处理。本发明的方法处理之后的石墨烯薄膜，不仅可以降低其方阻，更为重要的是可以使石墨烯薄膜的方阻长期保持稳定，且在较高温度下，方阻变化不大，从而方便后续进行图案化等处理，促进石墨烯薄膜在显示技术等对透明导电薄膜的方阻和透光率要求较高的工业领域进行广泛应用。
分类号	H01b13/00(2006.01)i
申请日期	2014-05-30
语种	中文
状态	已授权
内容类型	专利
源URL	[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/5421]
专题	微纳制造与系统集成研究中心
作者单位	(1)重庆墨希科技有限公司; (2)中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	黄德萍,姜浩,朱鹏,等. 一种提升石墨烯薄膜导电性能的方法. 2014102379741. 2017-03-29.