一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法

	一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法
	李昕; 冯双龙; 陆文强; 刘双翼; 何培培; 李奇昆; 李振湖; 王亮; 石彪
	2017-05-17
著作权人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
专利号	2015104923072
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法，应用于纳米线制备技术领域，所述方法利用高温化学气相沉积方法，创新性采用纳米金刚石颗粒和氧化锌粉末混合物作为反应物，从而在基底上生长出氧化锌纳米线的方法，生长速度大幅提升，而且将反应温度降低至600℃，对比于传统利用石墨粉末和氧化锌纳米粉末的方法，本发明利用纳米金刚石颗粒表面积大，化学活性高的独特性质，达到了纳米线制备速度快，节能降耗的目的。
分类号	C01g9/02(2006.01)i ; b82y30/00(2011.01)i ; b82y40/00(2011.01)i
申请日期	2015-08-12
语种	中文
状态	已授权
内容类型	专利
源URL	[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/5402]
专题	微纳制造与系统集成研究中心精准医疗单分子诊断技术研究中心
作者单位	(1)中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	李昕,冯双龙,陆文强,等. 一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法. 2015104923072. 2017-05-17.